300mmウェーハ裏面レビューを主要な適用対象として検討します。
Performance
BSR-1000 Key Performance
サンプルを切断せず、ウェーハを保持した状態で欠陥確認を支援します。
多点分析フローを基準に分析量拡大を検討します。
従来のOut-Fab破壊分析に比べ、Fab内での迅速なフィードバックを目指します。
反復確認と自動化連携により分析ポイントの拡大を目指します。
SEM観察結果と元素分析情報を工程フィードバックに活用します。
Evaluation Highlights
Damage Free Backside Review
発表資料のうち公開可能な装置・分析画像を製品ページ向けに再構成しました。
Wafer Backside専用Holder
ウェーハ表面損傷を低減する専用Holderと観察条件により、Damage Freeレビューを目指します。
低加速電圧観察条件
1kV以下の低加速条件を含め、Beam Damageを最小化しCharge Less条件を確保する方向で運用条件を検討します。
Defect Navigation
光学検査装置で検出した欠陥座標に基づき、SEM観察位置へ精密に移動・確認するフローを支援します。
SEM / EDS連携
形状観察と元素分析を組み合わせ、Particle、Contamination、工程異常の検討に必要な根拠を提供します。
Features
BSR-1000 Features
Non-destructive Backside Review
ウェーハ裏面欠陥をFab内で確認し、破壊分析中心の従来フローを補完します。
SEM / EDS Analysis
形状観察と元素分析を活用し、欠陥原因検討に必要な根拠を提供します。
Automation & Report
Recipe運用、ADR/ADC連携、データアップロード、レポート生成などを顧客運用シナリオに合わせて検討します。
Specifications
BSR-1000 Specifications
確定仕様は、顧客工程、試料、自動化範囲により異なるため、詳細条件は相談段階で確認します。詳細仕様表は確定後に更新します。
Product Type300mm Wafer Backside Review SEM
ApplicationWafer backside defect review, failure analysis, process abnormality feedback
Analysis MethodNon-destructive SEM review with EDS elemental analysis support
Wafer / Sample300mm wafer対応中心、詳細仕様は工程条件別に確認
Navigation光学検査座標に基づくDefect Navigationを検討
Observation Condition低加速電圧、Beam Damage最小化、Charge Less条件を検討
AutomationRecipe、ADR/ADC、report、data upload、process feedback連携を検討
Throughput Target150 points/waferおよび1時間フィードバックフローを基準に検討
Expected EffectTAT最大160倍短縮目標、分析量最大100倍拡大目標
Installation / UtilityFootprint、電源、真空、排気、Fab interface条件は相談時に確認
Applications
BSR-1000 Applications
Backside defect review
ウェーハ裏面Particle、Scratch、Contaminationレビュー
In-Fab failure analysis
Out-Fab分析依頼前のFab内原因検討
Advanced packaging
HBMおよび高付加価値パッケージング工程の裏面イシュー検討
Process feedback
分析結果を工程異常フィードバックと次工程判断に活用
Workflow
BSR-1000 Workflow
01Inspection
検査装置または工程データから裏面異常位置を確認します。
02Navigation
欠陥座標を基にSEM観察位置を整列します。
03SEM Review
SEM画像で欠陥形状と表面状態を観察します。
04EDS Analysis
必要に応じて元素分析情報を取得します。
05Feedback
分析結果をレポート化し、工程フィードバックに活用します。